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一、 半導體製程(設計、製造、封測)廠商獲投
1.Ventana Micro Systems獲B輪3,800萬美元投資
總部位於美國加州的Ventana，成立於2018年，為高效能資料中心級RISC-V處理器開發公司，公司於8月獲得美滿電子科技(Marvell Technology Group)創辦人周秀文博士、戴偉立以及其他知名半導體投資3,800萬美元B輪投資。
與主流的IP模式相比，Ventana採用小晶片的模組化、延伸的產品策略能夠大幅減少開發時間和成本，使企業能夠在相對較短時間、較低預算開發出解決方案。公司產品將應用在資料中心、5G、汽車、等多個潛力應用市場。(Businesswire: https://pse.is/4dxk5c)
2.碇基半導體獲4.56億新台幣投資
台達電子公司碇基半導體成立於2022年，專注於第三代半導體氮化鎵(GaN)技術用於開發功率半導體，於2022年9月宣布獲得力智電子、中美晶、日商羅姆半導體和台達電的4.56億元新台幣投資。
碇基半導體的氮化鎵(GaN)解決方案包括離散元件產品、系統封裝(SiP)和系統單晶片(SoC)組合，同時也通過應用於母公司台達電電源系統的嚴格檢驗。碇基半導體也透過持續的系統優化與技術提升，為不斷成長的氮化鎵(GaN)市場提供更完整服務。(Money DJ: https://pse.is/4dgkk7)
3.微容科技Viiyong獲近20億人民幣投資
總部位於中國廣東的微容科技，成立於2017年，主要營業項目為被動電子元器件多層陶瓷電容(以下簡稱MLCC)，是中國高端MLCC主要製造企業。微容科技於2022年8月獲得國投創業、京國投、粵科金融、雲浮產投、中信證券、廣發證券等公司近20億人民幣投資。
微容科技自成立起即定位做高端MLCC，全面佈局生產汽車、先進設備、管理平台等產業，生產高容量、高頻、超微型等高端系列MLCC，成為高階系列主力供應商之一。本次增資將用於兩棟MLCC廠房的全面擴產，助公司MLCC年產量到達6,000億片。同時，公司近期規劃將繼續追加募資，並預計於2028年左右實現MLCC年產能1.5萬億片規模的目標，躋身MLCC全球行業前三強。(新浪科技: https://pse.is/4g6f93)
4.創芯微Chuangxin Microelectronics獲近2億人民幣投資
總部位於中國深圳的創芯微，成立於2017年，公司為整合電池及電源管理解決方案的積體電路設計公司，公司於今年8月獲得芯動能投資、盛宇投資、俱成投資、恆信華業、創東方、要弘創投、龍崗金控等知名機構與原股東深創投的B輪投資，投資金額近2億元人民幣。
創芯微電池及電源管理晶片成功導入小米、OPPO、VIVO、傳音、榮耀、一加、realme、欣旺達、安克、宜家、沃爾瑪等多家國內外客戶，產品已廣泛應用於手機、可穿戴裝置、電動工具、鋰電池充電器等眾多產品。(芯語: https://pse.is/4f4w6q)
5.異格技術Avicena Tech獲近2.56億人民幣天使輪投資
總部位於中國蘇州的異格技術，成立於2022年，公司專注於國產高端FPGA晶片和專用EDA工具鏈軟體研發與設計。公司於2022年8月完成2.86億元天使輪募資，本輪募資由經緯中國、紅點中國、紅杉中國、和利資本、光躍投資等多家知名機構聯合投資。
公司預計於兩年內推出第一顆晶片，填補中國國內高階FPGA的空缺，實現EDA專用工具鏈軟體以及FPGA晶片的自主生產。(網易: https://pse.is/4gc56p)
二、 半導體材料與設備廠商獲投
1.青禾晶元Isabers獲2億人民幣A輪投資
總部位於中國北京的青禾晶元，成立於2020年，公司致力於半導體設備和材料的研究、開發、生產和製造。青禾晶元於2022年9月獲得由北京集成電路尖端芯片基金、陽光電源、智科產投、建信信託、沃賦資本等聯合投資的2億人民幣A輪投資。
青禾晶元的半導體異質整合技術可以實現半導體材料跨類融合與先進封裝，能夠有效改善先進半導體材料及元件良率低、成本高、性能受限等問題。(騰訊網: https://pse.is/4gnh7p)
2.幄肯新材料Vulcan New Materials獲1.3億人民幣D輪投資
總部位於中國杭州的幄肯新材料，成立於2017年，公司專注於高溫熱場材料研發及生產，主要產品有高純石墨、碳纖維熱場材料、碳複合材料、碳纖維結構材料以及納米膜合成材料等，應用於矽基半導體、化合物半導體、太陽能光電等產業。幄肯新材料於2022年7月獲得由國家中小企業發展基金（浙普）領投，合肥產投、金浦智能、稼沃資本、吳興產投、上海諾毅、厚合資本、浙科投資共同參投1.3億元人民幣D輪資金。
本輪募資資金主要用於加速啟動湖州“幄肯光伏及氫能裝備關鍵元器件製造項目”和杭州新總部建置。(新浪財經: https://pse.is/4fpw4h)
3.中科微精MegaRobo Technologies獲2億人民幣投資
總部位於中國陕西的中科微精，成立於2015年，公司是由中科院西安光機所孵化的企業，深耕於雷射光高端製造應用技術，是中國生產飛秒雷射光高階精密製造設備的領導者，可為各領域提供超精密、低耗損製造系統化解決方案。公司於2022年7月獲得由國家製造業基金領投，原股東北京日出安盛資本管理公司跟投的2億人民幣投資。
中科微精本次募資資金將用於發展顛覆性、綜合性的雷射光高端製造技術與裝備，推動高階雷射光製造裝備及其核心零件自主化和國產化，開拓航空飛行器及其動力系統、電子封裝等領域雷射光高端製造新用途。(網易: https://pse.is/4grcp7)
三、半導體產業要聞
1.美國《晶片法案》通過
美國總統拜登今年8月簽署生效的《晶片法案》，被視為中美科技戰的新分水嶺。美國政府希望藉此實現晶片製造重返美國，以緩解晶片供應鏈短缺問題，同時促進美國半導體等高科技製造業發展，抗衡中國崛起。
這項全名《晶片和科學法案》的新法，除了將向美國半導體產業挹注520億美元的政府補助資金，還包括約2000億美元用於新的製造計劃和科學研究。
另外值得關注的是，法案也規定接受補貼的企業，除了28奈米製程或以上的晶片之外，10年內不得在中國、俄羅斯、伊朗等地擴大投資先進製程晶圓生產。28奈米晶片雖然落後目前最先進的半導體好幾代，但仍被廣泛用於汽車和智慧手機等產品。
美國在科技霸權與影響力上，正與中國正面交鋒。近年來，中國積極扶植國內半導體產業，讓美國出現危機感。因此外界分析，美國設立晶片法案，本身也存在著重大的政治意圖，旨在防堵中國在半導體技術崛起(商周：https://pse.is/4fu3nn、yahoo新聞：https://pse.is/4gn9d3)
2.瞄準雲端、HPC等領域，Arm推出新一代Neoverse V2平台
提全球IP龍頭企業Arm於9月15日召開線上技術媒體溝通會，宣布推出新一代Neoverse V2平台，重新定義和變革全球的計算基礎設施。
Arm現已被用於各個主要公有雲，使用者包括亞馬遜、微軟、Google、阿里巴巴、甲骨文等科技巨頭。今年9月15日，Arm更新Arm Neoverse路線圖，推出Neoverse V2平台。該平台為了支援超大規模與高效能運算（HPC）客戶的需求，並在不增加更多功耗與面積的前提下進一步推進雲端工作負載的效能，Arm推出Neoverse V2平台配置最新的V系列核心，以及業界廣泛部署的Arm CMN-700網狀互連技術，著重效能、擴充性與節能，並且針對AI機器學習的運算能力再提升。毫無疑問，Arm的新產品將加強其在新一代基礎設施發展的地位。(全球半導體觀察: https://pse.is/4esq9q、yahoo股市: https://pse.is/4g728y)
3.SK Siltron攻第3代半導體 攜韓企研發SiC/GaN
南韓廠商SK Siltron搶攻第三代半導體，據傳將與韓企RFHIC和Yes Power Technix成立合資企業，研發碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體。
SK Siltron是南韓唯一晶圓生產商，在南韓和美國生產SiC晶圓。此提案仍待SK集團控股公司SK Corporation批准。另外，SK Siltron美國密西根州SiC工廠預計9月完工，屆時6吋SiC產能將增至每年12萬片。SK Siltron也在打造8吋SiC晶圓廠，目標2023年下半啟動。(Money DJ: https://pse.is/4g46u6、科技新報: https://pse.is/4ghzf8)
4.NVIDIA、Arm、英特爾聯手，發表FP8規格加速AI運算
NVIDIA、Intel以及 Arm 三雄聯手，近日共同發表 FP8 Formats for Deep Learning 白皮書，期能透過 8 位元浮點運算的格式來改善運算效能，並將當成AI通用的交換格式，提升深度學習訓練推理速度；而此一白皮書也已提交給電機電子工程師協會(IEEE)。
NVIDIA 表示，AI發展需要跨硬體、軟體平台的全面創新，以解決神經網路日益成長的運算需求。而提高效率的其中一個關鍵是使用較低精確的數字格式改善運算效能，同時降低記憶體使用並最佳化頻寬互聯。為此，目前業界已由32位元降至16位元，如今甚至已轉向8位元。與英特爾、Arm合作撰寫FP8 Formats for Deep Learning白皮書，是希望透過開放、免費授權的方式，提供通用、可維持準確性的交換格式，以加速AI發展，並讓AI模型在所有硬體平台都有一致高效表現。(科技新報: https://pse.is/4dvx7u)
5.工研院領先三星，展出全球最快磁性記憶體
2022 SEMICON Taiwan展出的33項創新技術中，最吸睛的莫過於被稱作世界最快「夢幻記憶體」的第三代SOT-MRAM陣列晶片，其具有省電、讀寫快、尺寸小等特性，屬於「非揮發性記憶體技術」，斷電時儲存的資料不會消失。另外，可達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，效能領先南韓大廠三星20%。 (科技新報: https://pse.is/4gjxg2)