超赫科技股份有限公司
更新日期：2026/02/12
應用領域
主要應用領域
Hardware
產品/服務
5G無線寬頻積體電路(MMIC)設計、天線射頻前端模組(RF Frontend Module)設計、低軌衛星IC與模組、高階化合物半導體(Compound Semiconductors)功率元件設計
成立年份
2020
統一編號
83516910
公司狀態
營運中
負責人
林燕津
團隊人數
0
實收資本額
398,615,380 (元/新臺幣)
註冊地址
新竹縣竹北市高鐵七路65號7樓之3
網站連結
成立年份、公司狀態、負責人、實收資本額、註冊地址均來自「經濟部商業發展署 全國商工行政服務入口網」；出場係指多元出場，包括準出場的興櫃、併購收購(M&A)及上市櫃(IPO)；海外發展國別係透過新創企業自行提供，以及報名媒合活動時填寫資料進行蒐集，故無法即時更新，如欲更正， 請e-mail至findit.tier@gmail.com，謝謝。
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公司簡介
超赫科技股份有限公司是一家專業的半導體IC設計公司，產品以III-V族化合物半導體為主，並專注於5G無線寬頻積體電路(MMIC)、天線射頻前端模組(RF Frontend Module)、低軌衛星IC與模組、高階化合物半導體(Compound Semiconductors)功率元件的設計公司，並致力於設計、優化元件磊晶結構及元件布局。以5G產品來說，超赫科技專注於設計與生產氮化鎵(GaN)高頻段毫米波(Millimeter Wave: mmWave)波段的IC，包含28GHz與39GHz的射頻開關(Switch)、低雜訊放大器(Low Noise Amplifier)、功率放大器(Power Amplifier)。以天線射頻前端模組來說，超赫科技致力於研發高頻段之天線射頻前端模組，內含有天線陣列(Antenna-in-Package)，波束形成IC陣列(Beam-forming IC)及升/降頻轉換器(Up/down converter)及控制IC模組等，以應用於5G毫米波的小型基地台(small cell)。
以高階化合物半導體功率元件來說，專注於發展高崩潰電壓之D-mode氮化鎵功率元件與E-mode氮化鎵功率元件，超赫科技高階化合物半導體功率元件產品運用於充電樁、車載充電器、快充器及伺服器的轉換器。
以高階化合物半導體功率元件來說，專注於發展高崩潰電壓之D-mode氮化鎵功率元件與E-mode氮化鎵功率元件，超赫科技高階化合物半導體功率元件產品運用於充電樁、車載充電器、快充器及伺服器的轉換器。
