一、半導體製程(設計、製造、封測)廠商獲投
- Morse Micro獲1.4億澳幣投資
總部位於澳洲雪梨的Morse Micro成立於2016年,為Wi-Fi HaLow微處理器的開發商。公司於今年九月由MegaChips Corporation領投,Blackbird Ventures、Main Sequence Ventures、Clean Energy Finance Corporation、Skip Capital、Uniseed、SpringCapital、Malcolm、Lucy Turnbull 等投資人參投,總計獲得1.4億澳幣投資。
Morse Micro本次募資資金將用於研發新產品、並加速現有的Wi-Fi HaLow晶片和模組上市規劃。公司Wi-Fi HaLow晶片可使無線設備連接範圍擴大十倍以上、覆蓋面積是傳統Wi-Fi網路的百倍以上,並可廣泛應用於消費端、商業、工業甚至於農業用途。(FINSMES:https://pse.is/4ju9qn)
- 輝芒微電子(Fremont Micro Devices)獲5億人民幣投資
總部位於中國深圳的輝芒微電子成立於2004年,主要業務為微控制(MCU)晶片、電源管理晶片、儲存晶片之研發設計。公司於今年九月由華熙投資領投,深圳市創投集團公司、廣州越秀產業投資基金、鴻富星河紅土基金等投資人參與投資,總計獲得5億人民幣投資。
公司自主研發EEPROM(電子抹除式可複寫唯讀記憶體)工藝,於2005年量產銷售其EEPROM晶片,並陸續於2007年、2013年、2015年量產推出PMIC晶片、NOR Flash晶片和MCU晶片。輝芒微電子本次募資資金將用於加速公司上市進程、並強化其在晶片市場之優勢地位。(愛集微:https://pse.is/4jljrt)
- Metalenz獲B輪3,000萬美元投資
總部位於美國麻州的Metalenz成立於2016年,為微型感測鏡頭製造商。公司於今年十月由Neotribe Ventures領投,Foothill Ventures、M Ventures、Intel Capital、Osage University Partners、TDK Ventures、3M Ventures、Global Brains、SG Innovate、Baidu Ventures、Hegemon Capital 和 Braemar Ventures參投,總計獲得3,000萬美元投資。
公司本次募資資金將用於研發PolarEyes技術,此技術可讓相機讀取光線偏振,使之能夠感知傳統RGB影像感測器無法感測到的不同材料、紋理和其它特性,甚至賦予其有限的深度感知能力,此技術未來也將廣泛應用於臉部辨識。(ChinaZ.com: https://pse.is/4jutsz)
- Probe Test Solutions獲B輪3,000萬美元投資
總部位於蘇格蘭格拉斯哥的Probe Test Solutions成立於2009年,為半導體ATE(自動化測試設備)全球領導廠商。公司於今年九月獲Tikehau Capital 3,000萬美元投資。公司本次募資的資金將用於加速市場擴張及收購企業,並致力於維持公司在ATE市場的領導地位。(Cision:https://pse.is/4jymr8)
二、半導體材料與設備廠商獲投
- 廣東先導薄膜材料(Vital Thin Film Materials)獲B輪45億人民幣投資
總部位於中國廣州的先導薄膜材料成立於2012年,為先導集團之子公司,生產用於半導體物理氣相沉積的濺鍍靶材和蒸鍍材料。公司於今年九月獲得中金資本領投,中國電子科技管理基金、中國國家開發投資集團、五礦發展公司、大灣區共同家園投資公司、招商證券、格力電器公司、珠海華髮集團、興業銀行、Morgan Stanley China Equity Investment等投資人參投,總計獲得45億人民幣投資。
公司致力於真空鍍膜用濺鍍靶材和蒸鍍材料的研發、生產、銷售和回收利用。產品包括由高純度金屬、合金、貴金屬和陶瓷材料製成的靶材、錠、顆粒和粉末,廣泛應用於顯示、太陽能光電、半導體、精密光學等領域。(Semiconductor Engineering: https://pse.is/4hvubn)
- 麗豪半導體(Lihao Semiconductor Materials) 獲22億人民幣投資
總部位於中國青海的麗豪半導體成立於2021年,主要生產用於太陽能光電和半導體晶片的高純度多晶矽。公司於今年九月獲得由長江證券創投、海松資本、雲暉資本、中國-比利時直接股權投資基金、中美綠色基金、稼沃資本、浙民創投等參與投資,正泰電器、IDG資本、金雨茂物等原股東追加投資,總計獲得22億人民幣投資。
麗豪半導體本次募資資金將用於技術研發、公司二期建設以及生產設備的擴建,目標在三年內達成年產材料20萬噸的生產規模。(今天頭條: https://pse.is/4jd6wq)
三、半導體產業要聞
- 美國半導體新禁令,禁止美國公民協助中國研發晶片
美國商務部於10月7日宣布一系列晶片出口管制措施,未來美國企業除非獲得政府許可,否則不得出口先進製程晶片和相關製造設備至中國;運用美國技術、在他國製造的晶片,也將受此規範。
美國商務部工業暨安全局表示,新的出口管制將限制中方取得先進運算晶片、發展和維繫超級電腦,以及製造先進半導體的能力,幾近全面性封殺中國半導體發展。相關規定也禁止台積電等第三國企業在某些情況下以美製設備為中國客戶服務,除非美方批准。
美國這次的出口管制措施,嚴格限制美國公司向中國出口晶片和晶片製造設備,是美國對中國半導體產業祭出最廣泛的措施之一,和以往大多針對個別公司或特定技術範疇的作法不同。
英特爾(Intel)、韓國記憶體製造商SK海力士(SK Hynix)、台積電等企業已獲美方豁免,得以維持在中國的正常運作,其餘美國和其盟邦企業預期將獲得類似批准。
此外,禁令也針對美國公民或綠卡持有人,在中國半導體行業工作,將有失去美國公民身分的風險。(關鍵評論: https://pse.is/4k2b8t)
- 車用、功率元件需求推升,全球8吋晶圓廠產能穩健成長
SEMI國際半導體產業協會發布「8吋晶圓廠至2025年展望報告」指出,2021年到2025年間,全球半導體製造商8吋晶圓廠產能可望增加20%。其中又以功率半導體晶圓廠產能的成長速度居首,成長幅度高達58%,其次為MEMS成長21%、代工成長 20%、類比IC成長14%。
2025年中國的8吋晶圓產能成長將達66%,接著依序為東南亞35%、美洲及台灣分別增加11%、日本10%、歐洲和中東8%,以及韓國2%。若依總產能占比排名,中國持續握有全球最大產能、且產能占比持續增加,約占全球8吋晶圓總產能21%。(科技新報: https://pse.is/4jbtbr)
- NVIDIA攜手甲骨文加速推動企業導入人工智慧解決方案
NVIDIA宣布與甲骨文擴大長期合作關係,甲骨文將在雲端基礎架構加入數萬張NVIDIA旗下GPU,其中包含A100 GPU,以及即將推出的H100 GPU,藉此透過加速運算產生更高人工智慧算力表現。
NVIDIA與甲骨文之間合作,亦包含導入用於醫學影像、基因研究、自然語言處理和藥物開發的醫療人工智慧與高效能運算應用框架NVIDIA Clara。 (mashdigi: https://pse.is/4g9tql)
- 台積電下修資本支出1成
考量到近期市場不確定性,台積電宣布,將今年資本支出由原本預估的400億美元、下修10%至360億美元。台積電財務長黃仁昭指出,這項改變的其中一半原因,是來自基於目前中期展望的產能優化,另一半則是由於持續面臨的機台交付挑戰。
台積電總裁暨執行長魏哲家表示,隨著5奈米N5製程、4奈米N4P及N4X製程成功量產,以及即將量產的3奈米N3技術,預期明年台積電會繼續擴大客戶產品組合和潛在市場。儘管半導體庫存的持續調整將影響2023年上半年的產能利用率,預期在對台積電領先及具差異化的先進製程與特殊製程技術的強勁需求之下,2023年仍將是台積電成長的一年。 (工商時報: https://pse.is/4h4dmr)
- 台達電400kW充電樁亮相
台達電在2018年參與美國能源部400kW超高速電動車充電設備終於亮相,搭載第三代半導體SiC MOSFET固態變壓器的400kW電動車充電設備。
台達電表示,400kW充電樁能提供領先業界、高達500安培的充電電流,電網到車的能量轉換效率提高達96.5%,重量僅有傳統直流快充的四分之一,新一代固態變壓器為智慧電網應用提供穩定電壓和改善電能質量的無功功率補償,HVDC電源架構亦可與再生能源或儲能系統相連,降低一次多台電動車充電時對電網的影響。
台達電電動車充電樁全球出貨量已經超過150萬套,為了服務車廠與充電樁客戶,台達電已在美國密西根州Livonia成立汽車研發中心,也在北卡羅萊納州的三角研究園(Research Triangle Park)成立電力電子實驗室。(工商時報: https://pse.is/4j39uz)
- 鴻海、Vedanta 合資晶圓廠,最快 2025 年投產
鴻海集團與印度跨國企業Vedanta宣布成立合資公司,合資公司與印度古茶拉底省(Gujarat)地方政府簽署合作備忘錄,將在當地投資約200億美元設置晶圓廠。
Vedanta半導體與顯示器事業部全球董事總經理赫巴表示,目前晶圓廠計劃在2025年或2026年開始投入生產28奈米12吋晶圓,初步每月可產4萬片晶圓。(科技新報: https://pse.is/4e8mty)
- 鴻海6吋矽基晶圓月產2.4萬片 已製出碳化矽元件
鴻海集團旗下鴻揚半導體持續發展化合物半導體,目前矽基製程6吋晶圓月產能2.4萬片,並已具備生產SiC MOSFET能力,可應用於電動車功率元件領域。
鴻揚半導體在9月產出1200V SiC MOSFET,並且已向客戶送樣,預計在明年7月量產,公司也持續規劃發展包括650V、1700V等製程產品,以及紅外線感測元件(IR sensor),拓展公司產品在電動車、數位健康與機器人等產業範圍應用,同時提供電性量測、代工等服務。(自由財經: https://pse.is/4jv3mw)
資料來源:FINSMES、愛集微、ChinaZ.com、Cision、Semiconductor Engineering、今天頭條、關鍵評論、科技新報、mashdigi、工商時報、自由財經